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[发明专利]一种具有渐变式电荷补偿层的横向超结功率器件-CN201811101522.5在审
发明人：吴丽娟;雷冰;张席旗;张银艳;朱琳;黄也 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有渐变式电荷补偿层的横向超结功率器件，属于半导体功率器件技术领域。由于常规横向超结功率器件中存在衬底辅助耗尽（Substrate Assisted Depletion,SAD）效应，所以本发明是在常规横向超结功率器件的超结层和衬底之间引入从源到漏厚度线性增加的渐变式电荷补偿层实现了对超结PN条的线性补偿，同时可以优化漂移区内的电场分布，从而屏蔽超结器件SAD效应，实现超结层的电荷平衡，最终带来高的击穿电压和低的比导通电阻。采用本发明可获得各种性能优良的具有渐变式电荷补偿层的高耐压低比导横向超结功率器件。
功率器件电荷补偿渐变式横向超结超结常规横向超结层衬底半导体功率器件漂移厚度线性增加比导通电阻超结器件电场分布电荷平衡击穿电压线性补偿屏蔽耗尽引入优化

[发明专利]一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管-CN202210289763.7在审
发明人：朱顺威;贾护军;张云帆;王欢;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管，包括P型衬底，P型衬底左上方为P型缓冲层，其右上方为N型缓冲层，N型缓冲层的右上方为漏N型重掺杂区，P型衬底正上方为隔离氧化层，隔离氧化层上方为超结层，超结层左侧为P阱，所述P阱左侧为源N型重掺杂区，超结层上方设有源电极、栅电极和漏电极，超结层右侧为漏N型重掺杂区，用于使漏电极与N型缓冲层和超结P柱和超结N柱形成欧姆接触。本发明使用虚拟衬底，有效地将衬底与超结的表面电场分布趋于一致，消除了衬底辅助耗尽效应，使器件比导通电阻大大降低，击穿电压大大提高。同时能有效地防止衬底与超结间的泄漏电流，且最大输出功率大幅提高。
一种具有虚拟衬底半导体场效应

[实用新型]沟槽栅超结器件和具有其的电子装置-CN202320073381.0有效
发明人：赵心愿;秦博;吴海平 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽栅超结器件和具有其的电子装置，沟槽栅超结器件包括：第一导电类型的衬底层；第一导电类型的外延层，所述外延层位于所述衬底层上；沟槽栅结构，所述沟槽栅结构在所述外延层上并沿器件纵向延伸至所述外延层内；沿器件横向在所述沟槽栅结构的两侧分别排布有第一导电类型的第一超结柱体、第二导电类型的第二超结柱体和第一导电类型的外延柱体，所述第一超结柱体、所述第二超结柱体和所述外延柱体均位于所述外延层上。本实用新型的沟槽栅超结器件，采用第一超结柱体、第二超结柱体和外延柱体结构，利于电荷平衡，提高耐压性。
沟槽栅超结器件具有电子装置

[发明专利]一种太阳电池以及制作方法-CN202110297175.3有效
发明人：张策;朱鸿根;郭文辉;吴志明;张雷;翁妹芝;吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了的一种太阳电池以及制作方法，层叠的多个子电池以及位于相邻子电池之间的隧穿结结构，所述隧穿结结构包括层叠的第一超晶格层、隧穿结层以及第二超晶格层，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻子电池中，进而避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，有助于维持所述隧穿结层高掺杂的特点，使得隧穿结层的隧穿效果好，隧穿电流大，满足大电流输运需求。并且，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够有效抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻的子电池中，还能够避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，进而避免所述隧穿结层对所述太阳电池开路电压的损耗增大。
一种太阳电池以及制作方法

[发明专利]超浅结阻值检测方法及膜层阻值检测方法-CN200710042131.6无效
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种超浅结阻值检测方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成超浅结；在已形成超浅结的半导体衬底上形成测试辅助层；测试所述超浅结阻值。可提高超浅结阻值检测的准确性。一种膜层阻值检测方法，包括：提供测试基底；在所述测试基底内形成膜层；在已形成膜层的测试基底上形成测试辅助层；测试所述膜层阻值。可提高膜层阻值检测的准确性。
超浅结阻值检测方法

[发明专利]超结场效应管及超结场效应管的制造方法-CN201711414698.1在审
发明人：吴多武;马清杰;许正一 -专利权人：南京方旭智芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种超结场效应管及超结场效应管的制造方法。超结场效应管包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，第一端与栅极源极层连接。P型补偿半导体层嵌入在第二端与漏极层的连接处，用于在超结场效应管处于反向恢复的过程中时，P型补偿半导体层与PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持PN结型半导体层中的载流子平衡
场效应制造方法

[发明专利]一种具有混合导电模式的超结IGBT器件-CN201711020958.7有效
发明人：张金平;赵倩;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有混合导电模式的超结IGBT器件，包括相间排列的N+集电区和P型集电区、N型缓冲层、超结N柱区和超结P柱区组成的超结漂移区、沟槽MOS结构、二氧化硅层，二氧化硅层的上表面深入N型缓冲层和超结漂移区并与超结P柱区相接触，二氧化硅层将超结P柱区两边的N型缓冲层相隔离；超结漂移区与表面MOS结构Pbody基区不相接触，本发明所提出的一种具有混合导电模式的超结IGBT，经仿真验证可以完全消除传统SJ‑RC‑IGBT
一种具有混合导电模式 igbt 器件

[发明专利]超结型功率管的缓冲层的制备方法和超结型功率管-CN201510199763.8在审
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种超结型功率管的缓冲层的制备方法和超结型功率管，其中，超结型功率管的缓冲层的制备方法，包括：在形成N型外延层的N型衬底上形成缓冲槽，所述缓冲槽的深度小于所述N型外延层的厚度，与所述缓冲槽接触的所述N型外延层即构成所述超结型功率管的导电沟道；在所述缓冲槽内形成介质层；在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成P型多晶硅层，以完成所述超结型功率管的缓冲层的制备，其中，所述介质层的表层在所述P型多晶硅层和所述N型外延层的感应作用下产生空穴载流子以保证所述导电沟道内电荷平衡。通过本发明的技术方案，实现了超结型功率管的低成本的批量生产，同时保证了超结型功率管的耐高压特性和器件可靠性。
超结型功率管缓冲制备方法

[发明专利]具有包括超晶格的超突变结区域的半导体器件及相关方法-CN202080058869.5在审
发明人： R·伯顿;M·海塔;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板和由基板承载的超突变结区域。超突变结区域可以包括具有第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上的超晶格层，以及在超晶格层上并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层。第一、第二和超晶格层可以是U形的。该半导体器件还可以包括在超突变结区域的第二半导体层上的栅极介电层、在栅极介电层上的栅电极，以及与超突变结区域相邻的间隔开的源极区域和漏极区域。
具有包括晶格突变区域半导体器件相关方法

[发明专利]碳化硅半导体器件-CN202180047091.2在审
发明人：增田健良;小杉亮治 -专利权人：住友电气工业株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：有源区域包含第一超结层和元件层。第一超结层交替地具有第一区域和第二区域。周边区域包含第二超结层、终端层和绝缘层。第二超结层交替地具有第三区域和第四区域。终端层与第二超结层接触并设置在第二超结层之上，并且交替地具有第五区域和第六区域。第五区域与第三区域对应地设置，并且第六区域与第四区域对应地设置。
碳化硅半导体器件

[发明专利]基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法-CN202111216859.2在审
发明人：盛琳;东伟 -专利权人：茂睿芯（深圳）科技有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法。本发明提供的基于超结MOSFET的集成器件包括：漏极、半导体衬底、半导体衬底上设置的至少两个超结MOSFET、用于源极不相连的超结MOSFET之间的源极隔离结构，所述隔离结构包括至少一个浮空P柱结构，所述超结MOSFET包括了P型体掺杂区、P柱、外延区、源极区、源极金属层、绝缘介质层、氧化物层、多晶硅栅极；所述两个源极不相连的超结MOSFET相邻P柱之间具有隔离距离，通过设置不同的隔离结构增大所述隔离距离，可以提高超结MOSFET之间的隔离电压，保证隔离电压性能同时将超结MOSFET集成一体。
基于 mosfet 集成器件及其制造方法

[发明专利]超结功率器件的制备方法和超结功率器件-CN201510359333.8有效
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种超结功率器件的制备方法和超结功率器件，其中，上述制备方法，包括：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；在第一外延层和第二外延层内形成垂直于衬底的沟槽，沟槽的深度等于第一外延层和第二外延层的厚度之和；在第一外延层对应的沟槽内形成第三外延层，第一外延层的厚度与第三外延层的厚度一致，以形成第一级超结功率单元；在第三外延层的上方形成第四外延层，第二外延层的厚度与第四外延层的厚度一致，以形成第二级超结功率单元，进而完成超结功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案，形成了兼容了两种掺杂浓度的超结结构的超结功率器件，既满足了低导通电阻的需求，同时，也满足了对电荷失衡的低敏感度的需求。
功率器件制备方法

[发明专利]一种超结终端结构-CN202210357165.9有效
发明人：杨国江;郭智;汪阳 -专利权人：江苏长晶浦联功率半导体有限公司;江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种超结终端结构，第一导电类型半导体外延层和第二导电类型半导体柱构成超结终端的交替排布PN柱结构，在第二导电类型半导体柱上方设有一层高掺杂第一导电类型半导体薄层，在第一导电类型半导体外延层上方设有高掺杂第二导电类型半导体薄层本发明通过设计能够被其下方的PN柱完全耗尽的半导体薄层，在超结终端区表面引入纵向耗尽效应，有效减小超结终端表面电场强度峰值，并使超结终端表面电场形状从常规的锯齿状电场分布转变为更加平坦的矩形电场分布，既能有效提升超结终端结构的耐压能力，又能提升超结终端的可靠性，改善超结终端的阻断特性。
一种终端结构

[实用新型]一种碳化硅功率器件-CN202221610264.5有效
发明人：郑方伟 -专利权人：敦为技术（佛山）有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅功率器件，该碳化硅功率器件包括：并排设置的第一超结柱和第二超结柱，所述第一超结柱从下到上设置K个变掺杂区，所述第二超结柱从下到上设置M个变掺杂区，所述第一超结柱和第二超结柱之间设置第一氧化介质层本实用新型在碳化硅功率器件的超结两柱间引入氧化介质层，一方面可有效地缩短电离积分路径，从而降低横向电离积分，可有效地提高击穿电压；另一方面，由于介质层可承受一定的横向压降，有助于抑制超结两柱间的横向耗尽作用
一种碳化硅功率器件

[发明专利]一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201710157394.5有效
发明人：段宝兴;曹震;师通通;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ‑VDMOS)，该器件主要的特征是在器件超结漂移区的侧壁形成SIPOS层，SIPOS层两端分别连接器件的栅电极和漏电极首先SIPOS层与超结漂移区形成金属‑绝缘体‑半导体(MIS)电容结构，在器件关断时，由于MIS电容两端具有电势差，该电容辅助耗尽超结漂移区，可以有效地增加N型漂移区的掺杂浓度，从而可以使得器件的导通电阻降低；其次SIPOS层上具有均匀的电阻率，在器件关断时通过电场调制效应使得器件超结漂移区上的电场分布均匀；再次在器件开态时，由于SIPOS层与器件超结漂移区的表面存在电势差，从而在超结漂移区上形成多数载流子积累层
一种具有绝缘多晶纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应

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